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核磁屏蔽工程電磁屏蔽性結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)規(guī)范

發(fā)布日期：2021-09-21 19:11瀏覽次數(shù)：

核磁屏蔽工程中電磁屏蔽性結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)規(guī)范
定義：在有屏蔽體時(shí)，被屏蔽空間內(nèi)某點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)與沒(méi)有屏蔽體時(shí)該點(diǎn)場(chǎng)強(qiáng)的比值。以dB為單位表示
電磁屏蔽等級(jí)分類：

級(jí)別	30~230MHz屏蔽效能（dB）	230~1000MHz屏蔽效能（dB）
1E	20	10
2D	30	20
3C	40	30
4B	50	40
5A	60	50

屏蔽效能規(guī)格要求舉例：設(shè)計(jì)規(guī)格書列舉方式：30~230MHz：30dB；230~1000MHz：20dB；一般低頻段比高頻段高10~15,也可寫成30~1000MHz：20 dB。
二．常用屏蔽材料壓縮量：

導(dǎo)電材料	推薦壓縮量
導(dǎo)電布	40%~60%
簧片	30%~60%
導(dǎo)電橡膠	15%~25%
FIP點(diǎn)膠	15%~25%
金屬導(dǎo)電絲網(wǎng)	30%~60%

三．常用屏蔽材料屏蔽效能及設(shè)計(jì)參數(shù)：

代碼	原始高度（mm）	推薦設(shè)計(jì)間隙（mm）	壓縮后高度（mm）	安裝方式	屏蔽效能
EMIS-D01	1.5	0.8	0.6~1.0	背膠	40dB/1GHz
EMIS-D02	3.0	1.6	1.2~2.1	背膠	40dB/1GHz
EMIS-D03	2.0	1.2	0.8~1.4	背膠	40dB/1GHz
EMIS-D04	3.6	2.0	1.2~2.5	背膠	40dB/1GHz
EMIS-D05	9.8	4.5	4.0~5.0	背膠	40dB/1GHz
EMIS-D06	2.7	0.5	2.0~2.2	背膠	40dB/1GHz
EMIS-D07	1.0	0.5	0.4~0.6	背膠	40dB/1GHz
EMIS-D08	1.0	0.5	0.4~0.6	背膠	40dB/1GHz
EMIS-D09	4.0	2.0	1.6~2.4	背膠	40dB/1GHz
EMIS-D10	6.4	4.0	3.5~4.5	背膠	40dB/1GHz
EMIS-D11	3.2	1.5	1.2~2.0	背膠	40dB/1GHz
EMIS-H01	5.8	3.0	1.5~4.5	背膠	50dB/1GHz
EMIS-H02	3.6	2.4	1.8~3.0	背膠	50dB/1GHz
EMIS-H03	2.8	1.9	1.6~2.2	背膠	50dB/1GHz
EMIS-H04	0.8	0.3	0.1~0.6	背膠	40dB/1GHz
EMIS-H05	0.8	0.3	0.1~0.6	背膠	40dB/1GHz
EMIS-H06	2.8	/	1.8~2.2	卡裝	40dB/1GHz
EMIS-H07	2.8	/	1.8~2.2	卡裝	40dB/1GHz
EMIS-H08	3.5	0.5	/	卡裝	25dB/1GHz
EMIS-H09	3.5	0.3	/	卡裝	25dB/1GHz
EMIS-S01	9.52	6.5	4.8~8.7	背膠	25dB/1GHz
EMIS-S02	9.52	6.5	4.8~8.7	背膠	25dB/1GHz
EMIS-X01	1.02	0.7	0.6~0.85	安裝槽	20dB/1GHz
EMIS-X02	3.41	2.6	2.3~2.9	安裝槽	20dB/1GHz
EMIS-X03	1.15	0.8	0.6~1.0	安裝槽	20dB/1GHz
EMIS-X04	1.15	0.8	0.6~1.0	安裝槽	20dB/1GHz
EMIS-X05	2.03	1.6	1.5~1.7	安裝槽	20dB/1GHz
EMIS-X06	8.0	5.0	4.5~5.5	安裝槽	20dB/1GHz

四．緊固方式

縫隙搭邊深度值超過(guò)30mm時(shí)，作用不明顯；推薦縫隙搭邊深度：15~25mm。

五．局部開(kāi)孔

定義：數(shù)量不多的開(kāi)孔

根據(jù)經(jīng)驗(yàn)：開(kāi)口最大尺寸小于電磁波波長(zhǎng)的1/20時(shí)，屏蔽效能20 dB；開(kāi)口最大尺寸小于電磁波波長(zhǎng)的1/50時(shí)，屏蔽效能30 dB。

例如：屏蔽效能為20 dB/1GHz時(shí)，局部開(kāi)孔的最大尺寸應(yīng)小于15mm。

一．提高縫隙的屏蔽效能可采取以下幾種措施：增加縫隙深度、減小縫隙的最大長(zhǎng)度尺寸、減小縫隙中緊固點(diǎn)的間距、增強(qiáng)基材的剛性和表面光潔度。

二．影響穿孔金屬板屏蔽效能的最大因素是開(kāi)孔的最大尺寸，其次是孔深，影響最小的是孔間距。

三．針對(duì)電纜穿透問(wèn)題，可采取：在電纜出屏蔽體時(shí)增加濾波，或采用屏蔽電纜，同時(shí)屏蔽電纜屏蔽層與屏蔽體之間要良好電接觸。

四．屏蔽方案

1. 機(jī)柜屏蔽：成本較高，由于缺陷較多，屏蔽效能一般不能做到太高。

2. 插箱/子架屏蔽：對(duì)于屏蔽電纜的接地和增加濾波都比較方便，適合大量出線的產(chǎn)品。

3. 單板/模塊屏蔽：結(jié)構(gòu)復(fù)雜，成本較高，對(duì)散熱不利。

4. 單板局部屏蔽：在無(wú)線產(chǎn)品中較常見(jiàn)，主要通過(guò)安裝屏蔽盒實(shí)現(xiàn)，實(shí)現(xiàn)較容易。

原則上，最靠近輻射源的屏蔽措施是最有效和最經(jīng)濟(jì)的；一般說(shuō)，屏蔽需求導(dǎo)致結(jié)構(gòu)件成本增加10%~20%左右。

五．縫隙屏蔽設(shè)計(jì)

1. 緊固點(diǎn)連接縫隙

屏蔽效能最主要的影響因素是縫隙的最大尺寸和縫隙深度，減小緊固點(diǎn)間距、增加連接零件剛性。

2. 增加縫隙深度

單排緊固時(shí)縫隙深度超過(guò)30mm后屏蔽效能差別就不明顯，一般推薦值為15~25mm。增加縫隙深度可采取一些迷宮或嵌入式結(jié)構(gòu)，或采用雙排緊固點(diǎn)方式（最好將兩排緊固點(diǎn)錯(cuò)開(kāi)分布）。

3. 緊固點(diǎn)間距

按照DKBA0.460.0031屏蔽效能測(cè)試方法得出的單排緊固點(diǎn)縫隙在不同間距下的屏蔽效能，測(cè)試樣品T=1.5mm，大小600×600mm。在選擇緊固點(diǎn)間距時(shí)應(yīng)該參照該表推薦數(shù)據(jù)，并根據(jù)實(shí)際結(jié)構(gòu)形式進(jìn)行一定的調(diào)整5~10mm。