1) 屏蔽體的導(dǎo)電連續(xù)性：這指的是整個(gè)屏蔽體必須是一個(gè)完整的、連續(xù)的導(dǎo)電體。這一點(diǎn)在實(shí)現(xiàn)起來十分困難。因?yàn)橐粋€(gè)完全封閉的屏蔽體是沒有任何使用價(jià)值的。一個(gè)實(shí)用的機(jī)箱上會(huì)有很多孔縫造成屏蔽：通風(fēng)口、顯示口、安裝各種調(diào)節(jié)桿的開口、不同部分的結(jié)合縫隙等。由于這些導(dǎo)致導(dǎo)電不連續(xù)的因素存在，如果設(shè)計(jì)人員在設(shè)計(jì)時(shí)沒有考慮如何處理，屏蔽體的屏蔽效能往往很低，甚至沒有屏蔽效能。
2) 不能有直接穿過屏蔽體的導(dǎo)體：一個(gè)屏蔽效能再高的屏蔽機(jī)箱，一旦有導(dǎo)線直接穿過屏蔽機(jī)箱，其屏蔽效能會(huì)損失99.9%（60dB）以上。但是，實(shí)際機(jī)箱上總會(huì)有電纜穿出（入），至少會(huì)有一條電源電纜存在，如果沒有對這些電纜進(jìn)行妥善的處理（屏蔽或?yàn)V波），這些電纜會(huì)極大的損壞屏蔽體。妥善處理這些電纜是屏蔽設(shè)計(jì)的重要內(nèi)容之一（穿過屏蔽體的導(dǎo)體的危害有時(shí)比孔縫的危害更大）。
電磁屏蔽體與接地?zé)o關(guān)：對于靜電場屏蔽，屏蔽體是必須接地的。但是對于電磁屏蔽，屏蔽體的屏蔽效能卻與屏蔽體接地與否無關(guān)，這是設(shè)計(jì)人員必須明確的。在很多場合，將屏蔽體接地確實(shí)改變了電磁狀態(tài)，但這是由于其它一些原因，而不是由于接地導(dǎo)致屏蔽體的屏蔽效能發(fā)生改變。
減少縫隙電磁泄漏的措施。屏蔽機(jī)箱上的不同部分的結(jié)合處不可能完全接觸，只能在某些點(diǎn)接觸上，這構(gòu)成了一個(gè)孔洞陣列。縫隙是造成屏蔽機(jī)箱屏蔽效能降級的主要原因之一。在實(shí)際工程中，常常用縫隙的阻抗來衡量縫隙的屏蔽效能?？p隙的阻抗越小，則電磁泄漏越小，屏蔽效能越高。
縫隙處的阻抗：
縫隙的阻抗可以用電阻和電容并聯(lián)來等效，因?yàn)榻佑|上的點(diǎn)相當(dāng)一個(gè)電阻，沒有接觸的點(diǎn)相當(dāng)于一個(gè)電容，整個(gè)縫隙就是許多電阻和電容的并聯(lián)。低頻時(shí)，電阻分量起主要作用；高頻時(shí)，電容分量起主要作用。由于電容的容抗隨著頻率升高降低，因此如果縫隙是主要泄漏源，則屏蔽機(jī)箱的屏蔽效能優(yōu)勢隨著頻率的升高而增加。但是，如果縫隙的尺寸較大，高頻泄漏也是縫隙泄漏的主要現(xiàn)象。
影響電阻成分的因素：影響縫隙上電阻成分的因素主要有：接觸面積（接觸點(diǎn)數(shù)）、接觸面材料（一般較軟的材料接觸電阻較小）、接觸面的清潔程度、接觸面的壓力（壓力要足以使接觸點(diǎn)穿透金屬表層氧化層）和氧化腐蝕等。影響電容成分的因素：根據(jù)電容器原理，很容易知道：兩個(gè)表面之間距離越近，相對的面積越大，則電容越大。
1) 增大接觸面的重合面積，這可以減小電阻、增加電容。
2) 使用盡量多的緊固螺釘，這也可以減小電阻、增加電容。
3) 保持接觸面清潔，減小接觸電阻。
4) 保持接觸面較好的平整度，這可以減小電阻、增加電容。
5) 使用電磁密封襯墊，消除縫隙上不接觸點(diǎn)。
